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参数目录42464
> SIE818DF-T1-E3 MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK
型号:
SIE818DF-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SIE818DF-T1-E3 PDF
产品目录绘图
DF-T1-E3 Series 10-PolarPAK Bottom 2
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
9.5 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
95nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3200pF @ 38V
功率 - 最大
125W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
10-PolarPAK?(L)
供应商设备封装
10-PolarPAK?(L)
包装
标准包装
其它名称
SIE818DF-T1-E3DKR
查看SIE818DF-T1-E3代理商
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